Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7910PBF
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7910PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48621 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7910PBF
IRF7910PBF Elektronické komponenty
IRF7910PBF Odbyt
IRF7910PBF Dodavatel
IRF7910PBF Distributor
IRF7910PBF Datová tabulka
IRF7910PBF Fotky
IRF7910PBF Cena
IRF7910PBF Nabídka
IRF7910PBF Nejnižší cena
IRF7910PBF Vyhledávání
IRF7910PBF Nákup
IRF7910PBF Chip