Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7910TRPBF
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
Číslo dílu
IRF7910TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22156 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7910TRPBF
IRF7910TRPBF Elektronické komponenty
IRF7910TRPBF Odbyt
IRF7910TRPBF Dodavatel
IRF7910TRPBF Distributor
IRF7910TRPBF Datová tabulka
IRF7910TRPBF Fotky
IRF7910TRPBF Cena
IRF7910TRPBF Nabídka
IRF7910TRPBF Nejnižší cena
IRF7910TRPBF Vyhledávání
IRF7910TRPBF Nákup
IRF7910TRPBF Chip