Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Číslo dílu
IRFR1018EPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46238 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR1018EPBF
IRFR1018EPBF Elektronické komponenty
IRFR1018EPBF Odbyt
IRFR1018EPBF Dodavatel
IRFR1018EPBF Distributor
IRFR1018EPBF Datová tabulka
IRFR1018EPBF Fotky
IRFR1018EPBF Cena
IRFR1018EPBF Nabídka
IRFR1018EPBF Nejnižší cena
IRFR1018EPBF Vyhledávání
IRFR1018EPBF Nákup
IRFR1018EPBF Chip