Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR010PBF
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Číslo dílu
IRFR010PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27790 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR010PBF
IRFR010PBF Elektronické komponenty
IRFR010PBF Odbyt
IRFR010PBF Dodavatel
IRFR010PBF Distributor
IRFR010PBF Datová tabulka
IRFR010PBF Fotky
IRFR010PBF Cena
IRFR010PBF Nabídka
IRFR010PBF Nejnižší cena
IRFR010PBF Vyhledávání
IRFR010PBF Nákup
IRFR010PBF Chip