IRFR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Číslo dílu
IRFR120NTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20005 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR120NTRPBF
IRFR120NTRPBF Elektronické komponenty
IRFR120NTRPBF Odbyt
IRFR120NTRPBF Dodavatel
IRFR120NTRPBF Distributor
IRFR120NTRPBF Datová tabulka
IRFR120NTRPBF Fotky
IRFR120NTRPBF Cena
IRFR120NTRPBF Nabídka
IRFR120NTRPBF Nejnižší cena
IRFR120NTRPBF Vyhledávání
IRFR120NTRPBF Nákup
IRFR120NTRPBF Chip