IRFR15N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Číslo dílu
IRFR15N20DTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-PAK (TO-252AA)
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
165 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
910pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9461 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR15N20DTRPBF
IRFR15N20DTRPBF Elektronické komponenty
IRFR15N20DTRPBF Odbyt
IRFR15N20DTRPBF Dodavatel
IRFR15N20DTRPBF Distributor
IRFR15N20DTRPBF Datová tabulka
IRFR15N20DTRPBF Fotky
IRFR15N20DTRPBF Cena
IRFR15N20DTRPBF Nabídka
IRFR15N20DTRPBF Nejnižší cena
IRFR15N20DTRPBF Vyhledávání
IRFR15N20DTRPBF Nákup
IRFR15N20DTRPBF Chip