Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
Číslo dílu
IRFR3607PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3070pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48180 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3607PBF
IRFR3607PBF Elektronické komponenty
IRFR3607PBF Odbyt
IRFR3607PBF Dodavatel
IRFR3607PBF Distributor
IRFR3607PBF Datová tabulka
IRFR3607PBF Fotky
IRFR3607PBF Cena
IRFR3607PBF Nabídka
IRFR3607PBF Nejnižší cena
IRFR3607PBF Vyhledávání
IRFR3607PBF Nákup
IRFR3607PBF Chip