Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3706PBF
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
Číslo dílu
IRFR3706PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
88W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14412 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3706PBF
IRFR3706PBF Elektronické komponenty
IRFR3706PBF Odbyt
IRFR3706PBF Dodavatel
IRFR3706PBF Distributor
IRFR3706PBF Datová tabulka
IRFR3706PBF Fotky
IRFR3706PBF Cena
IRFR3706PBF Nabídka
IRFR3706PBF Nejnižší cena
IRFR3706PBF Vyhledávání
IRFR3706PBF Nákup
IRFR3706PBF Chip