IRFR3709ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Číslo dílu
IRFR3709ZTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2330pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24902 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3709ZTRPBF
IRFR3709ZTRPBF Elektronické komponenty
IRFR3709ZTRPBF Odbyt
IRFR3709ZTRPBF Dodavatel
IRFR3709ZTRPBF Distributor
IRFR3709ZTRPBF Datová tabulka
IRFR3709ZTRPBF Fotky
IRFR3709ZTRPBF Cena
IRFR3709ZTRPBF Nabídka
IRFR3709ZTRPBF Nejnižší cena
IRFR3709ZTRPBF Vyhledávání
IRFR3709ZTRPBF Nákup
IRFR3709ZTRPBF Chip