Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR3710ZTR
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Číslo dílu
IRFR3710ZTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2930pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44552 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR3710ZTR
IRFR3710ZTR Elektronické komponenty
IRFR3710ZTR Odbyt
IRFR3710ZTR Dodavatel
IRFR3710ZTR Distributor
IRFR3710ZTR Datová tabulka
IRFR3710ZTR Fotky
IRFR3710ZTR Cena
IRFR3710ZTR Nabídka
IRFR3710ZTR Nejnižší cena
IRFR3710ZTR Vyhledávání
IRFR3710ZTR Nákup
IRFR3710ZTR Chip