Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR4510PBF
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Číslo dílu
IRFR4510PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
143W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.9 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3031pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19589 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR4510PBF
IRFR4510PBF Elektronické komponenty
IRFR4510PBF Odbyt
IRFR4510PBF Dodavatel
IRFR4510PBF Distributor
IRFR4510PBF Datová tabulka
IRFR4510PBF Fotky
IRFR4510PBF Cena
IRFR4510PBF Nabídka
IRFR4510PBF Nejnižší cena
IRFR4510PBF Vyhledávání
IRFR4510PBF Nákup
IRFR4510PBF Chip