IRFR5505TRPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Číslo dílu
IRFR5505TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14186 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR5505TRPBF
IRFR5505TRPBF Elektronické komponenty
IRFR5505TRPBF Odbyt
IRFR5505TRPBF Dodavatel
IRFR5505TRPBF Distributor
IRFR5505TRPBF Datová tabulka
IRFR5505TRPBF Fotky
IRFR5505TRPBF Cena
IRFR5505TRPBF Nabídka
IRFR5505TRPBF Nejnižší cena
IRFR5505TRPBF Vyhledávání
IRFR5505TRPBF Nákup
IRFR5505TRPBF Chip