Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ46ZS
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Číslo dílu
IRFZ46ZS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
82W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.6 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1460pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5850 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ46ZS
IRFZ46ZS Elektronické komponenty
IRFZ46ZS Odbyt
IRFZ46ZS Dodavatel
IRFZ46ZS Distributor
IRFZ46ZS Datová tabulka
IRFZ46ZS Fotky
IRFZ46ZS Cena
IRFZ46ZS Nabídka
IRFZ46ZS Nejnižší cena
IRFZ46ZS Vyhledávání
IRFZ46ZS Nákup
IRFZ46ZS Chip