Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ10PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Číslo dílu
IRFZ10PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9753 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ10PBF
IRFZ10PBF Elektronické komponenty
IRFZ10PBF Odbyt
IRFZ10PBF Dodavatel
IRFZ10PBF Distributor
IRFZ10PBF Datová tabulka
IRFZ10PBF Fotky
IRFZ10PBF Cena
IRFZ10PBF Nabídka
IRFZ10PBF Nejnižší cena
IRFZ10PBF Vyhledávání
IRFZ10PBF Nákup
IRFZ10PBF Chip