IRL2203NSTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Číslo dílu
IRL2203NSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
116A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3290pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19182 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL2203NSTRLPBF
IRL2203NSTRLPBF Elektronické komponenty
IRL2203NSTRLPBF Odbyt
IRL2203NSTRLPBF Dodavatel
IRL2203NSTRLPBF Distributor
IRL2203NSTRLPBF Datová tabulka
IRL2203NSTRLPBF Fotky
IRL2203NSTRLPBF Cena
IRL2203NSTRLPBF Nabídka
IRL2203NSTRLPBF Nejnižší cena
IRL2203NSTRLPBF Vyhledávání
IRL2203NSTRLPBF Nákup
IRL2203NSTRLPBF Chip