Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB35N10T
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Číslo dílu
SPB35N10T
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5703 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB35N10T
SPB35N10T Elektronické komponenty
SPB35N10T Odbyt
SPB35N10T Dodavatel
SPB35N10T Distributor
SPB35N10T Datová tabulka
SPB35N10T Fotky
SPB35N10T Cena
SPB35N10T Nabídka
SPB35N10T Nejnižší cena
SPB35N10T Vyhledávání
SPB35N10T Nákup
SPB35N10T Chip