Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB77N06S2-12
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Číslo dílu
SPB77N06S2-12
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
158W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5317 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB77N06S2-12
SPB77N06S2-12 Elektronické komponenty
SPB77N06S2-12 Odbyt
SPB77N06S2-12 Dodavatel
SPB77N06S2-12 Distributor
SPB77N06S2-12 Datová tabulka
SPB77N06S2-12 Fotky
SPB77N06S2-12 Cena
SPB77N06S2-12 Nabídka
SPB77N06S2-12 Nejnižší cena
SPB77N06S2-12 Vyhledávání
SPB77N06S2-12 Nákup
SPB77N06S2-12 Chip