SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Číslo dílu
SPD50N03S207GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 85µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2170pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50212 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPD50N03S207GBTMA1
SPD50N03S207GBTMA1 Elektronické komponenty
SPD50N03S207GBTMA1 Odbyt
SPD50N03S207GBTMA1 Dodavatel
SPD50N03S207GBTMA1 Distributor
SPD50N03S207GBTMA1 Datová tabulka
SPD50N03S207GBTMA1 Fotky
SPD50N03S207GBTMA1 Cena
SPD50N03S207GBTMA1 Nabídka
SPD50N03S207GBTMA1 Nejnižší cena
SPD50N03S207GBTMA1 Vyhledávání
SPD50N03S207GBTMA1 Nákup
SPD50N03S207GBTMA1 Chip