Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPI70N10L
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
Číslo dílu
SPI70N10L
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3-1
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4540pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39724 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPI70N10L
SPI70N10L Elektronické komponenty
SPI70N10L Odbyt
SPI70N10L Dodavatel
SPI70N10L Distributor
SPI70N10L Datová tabulka
SPI70N10L Fotky
SPI70N10L Cena
SPI70N10L Nabídka
SPI70N10L Nejnižší cena
SPI70N10L Vyhledávání
SPI70N10L Nákup
SPI70N10L Chip