Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPP02N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
Číslo dílu
SPP02N60C3HKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11899 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPP02N60C3HKSA1
SPP02N60C3HKSA1 Elektronické komponenty
SPP02N60C3HKSA1 Odbyt
SPP02N60C3HKSA1 Dodavatel
SPP02N60C3HKSA1 Distributor
SPP02N60C3HKSA1 Datová tabulka
SPP02N60C3HKSA1 Fotky
SPP02N60C3HKSA1 Cena
SPP02N60C3HKSA1 Nabídka
SPP02N60C3HKSA1 Nejnižší cena
SPP02N60C3HKSA1 Vyhledávání
SPP02N60C3HKSA1 Nákup
SPP02N60C3HKSA1 Chip