Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IX2120B
1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI
Číslo dílu
IX2120B
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
28-SOIC
Zdroj napětí
15 V ~ 20 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
6V, 9.5V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
2A, 2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
1200V
Časy nahoru/dolů (Tip)
9.4ns, 9.7ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16743 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IX2120B
IX2120B Elektronické komponenty
IX2120B Odbyt
IX2120B Dodavatel
IX2120B Distributor
IX2120B Datová tabulka
IX2120B Fotky
IX2120B Cena
IX2120B Nabídka
IX2120B Nejnižší cena
IX2120B Vyhledávání
IX2120B Nákup
IX2120B Chip