Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXBH10N170

IXBH10N170

IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
Číslo dílu
IXBH10N170
Výrobce/značka
Série
BIMOSFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Výkon - Max
140W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXBH)
Reverzní doba zotavení (trr)
360ns
Proud – kolektor (Ic) (Max)
20A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1700V
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
3.8V @ 15V, 10A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
40A
Přechod energie
6mJ (off)
Poplatky za bránu
30nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
35ns/500ns
Zkouška stavu
1360V, 10A, 56 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8665 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXBH10N170
IXBH10N170 Elektronické komponenty
IXBH10N170 Odbyt
IXBH10N170 Dodavatel
IXBH10N170 Distributor
IXBH10N170 Datová tabulka
IXBH10N170 Fotky
IXBH10N170 Cena
IXBH10N170 Nabídka
IXBH10N170 Nejnižší cena
IXBH10N170 Vyhledávání
IXBH10N170 Nákup
IXBH10N170 Chip