Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXBH42N170A
IGBT 1700V 42A 357W TO247
Číslo dílu
IXBH42N170A
Výrobce/značka
Série
BIMOSFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Výkon - Max
357W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXBH)
Reverzní doba zotavení (trr)
330ns
Proud – kolektor (Ic) (Max)
42A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1700V
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
6V @ 15V, 21A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
265A
Přechod energie
3.43mJ (on), 430µJ (off)
Poplatky za bránu
188nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
19ns/200ns
Zkouška stavu
850V, 21A, 1 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31199 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXBH42N170A
IXBH42N170A Elektronické komponenty
IXBH42N170A Odbyt
IXBH42N170A Dodavatel
IXBH42N170A Distributor
IXBH42N170A Datová tabulka
IXBH42N170A Fotky
IXBH42N170A Cena
IXBH42N170A Nabídka
IXBH42N170A Nejnižší cena
IXBH42N170A Vyhledávání
IXBH42N170A Nákup
IXBH42N170A Chip