Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXCP01N90E

IXCP01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
Číslo dílu
IXCP01N90E
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
250mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
133pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5795 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXCP01N90E
IXCP01N90E Elektronické komponenty
IXCP01N90E Odbyt
IXCP01N90E Dodavatel
IXCP01N90E Distributor
IXCP01N90E Datová tabulka
IXCP01N90E Fotky
IXCP01N90E Cena
IXCP01N90E Nabídka
IXCP01N90E Nejnižší cena
IXCP01N90E Vyhledávání
IXCP01N90E Nákup
IXCP01N90E Chip