Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFE180N20
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
Číslo dílu
IXFE180N20
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
158A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29391 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFE180N20
IXFE180N20 Elektronické komponenty
IXFE180N20 Odbyt
IXFE180N20 Dodavatel
IXFE180N20 Distributor
IXFE180N20 Datová tabulka
IXFE180N20 Fotky
IXFE180N20 Cena
IXFE180N20 Nabídka
IXFE180N20 Nejnižší cena
IXFE180N20 Vyhledávání
IXFE180N20 Nákup
IXFE180N20 Chip