Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFE73N30Q
MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
Číslo dílu
IXFE73N30Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
46 mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26134 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFE73N30Q
IXFE73N30Q Elektronické komponenty
IXFE73N30Q Odbyt
IXFE73N30Q Dodavatel
IXFE73N30Q Distributor
IXFE73N30Q Datová tabulka
IXFE73N30Q Fotky
IXFE73N30Q Cena
IXFE73N30Q Nabídka
IXFE73N30Q Nejnižší cena
IXFE73N30Q Vyhledávání
IXFE73N30Q Nákup
IXFE73N30Q Chip