Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFJ26N50P3
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
Číslo dílu
IXFJ26N50P3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, Polar3™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
265 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38624 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFJ26N50P3
IXFJ26N50P3 Elektronické komponenty
IXFJ26N50P3 Odbyt
IXFJ26N50P3 Dodavatel
IXFJ26N50P3 Distributor
IXFJ26N50P3 Datová tabulka
IXFJ26N50P3 Fotky
IXFJ26N50P3 Cena
IXFJ26N50P3 Nabídka
IXFJ26N50P3 Nejnižší cena
IXFJ26N50P3 Vyhledávání
IXFJ26N50P3 Nákup
IXFJ26N50P3 Chip