Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFP110N15T2
MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
Číslo dílu
IXFP110N15T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10064 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFP110N15T2
IXFP110N15T2 Elektronické komponenty
IXFP110N15T2 Odbyt
IXFP110N15T2 Dodavatel
IXFP110N15T2 Distributor
IXFP110N15T2 Datová tabulka
IXFP110N15T2 Fotky
IXFP110N15T2 Cena
IXFP110N15T2 Nabídka
IXFP110N15T2 Nejnižší cena
IXFP110N15T2 Vyhledávání
IXFP110N15T2 Nákup
IXFP110N15T2 Chip