Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFP180N10T2
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Číslo dílu
IXFP180N10T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16202 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFP180N10T2
IXFP180N10T2 Elektronické komponenty
IXFP180N10T2 Odbyt
IXFP180N10T2 Dodavatel
IXFP180N10T2 Distributor
IXFP180N10T2 Datová tabulka
IXFP180N10T2 Fotky
IXFP180N10T2 Cena
IXFP180N10T2 Nabídka
IXFP180N10T2 Nejnižší cena
IXFP180N10T2 Vyhledávání
IXFP180N10T2 Nákup
IXFP180N10T2 Chip