Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFP38N30X3
FET N-CHANNEL
Číslo dílu
IXFP38N30X3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
240W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2240pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42803 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFP38N30X3
IXFP38N30X3 Elektronické komponenty
IXFP38N30X3 Odbyt
IXFP38N30X3 Dodavatel
IXFP38N30X3 Distributor
IXFP38N30X3 Datová tabulka
IXFP38N30X3 Fotky
IXFP38N30X3 Cena
IXFP38N30X3 Nabídka
IXFP38N30X3 Nejnižší cena
IXFP38N30X3 Vyhledávání
IXFP38N30X3 Nákup
IXFP38N30X3 Chip