Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFP8N50PM

IXFP8N50PM

MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
Číslo dílu
IXFP8N50PM
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34813 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFP8N50PM
IXFP8N50PM Elektronické komponenty
IXFP8N50PM Odbyt
IXFP8N50PM Dodavatel
IXFP8N50PM Distributor
IXFP8N50PM Datová tabulka
IXFP8N50PM Fotky
IXFP8N50PM Cena
IXFP8N50PM Nabídka
IXFP8N50PM Nejnižší cena
IXFP8N50PM Vyhledávání
IXFP8N50PM Nákup
IXFP8N50PM Chip