Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFQ14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
Číslo dílu
IXFQ14N80P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P
Ztráta energie (max.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
720 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20629 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFQ14N80P
IXFQ14N80P Elektronické komponenty
IXFQ14N80P Odbyt
IXFQ14N80P Dodavatel
IXFQ14N80P Distributor
IXFQ14N80P Datová tabulka
IXFQ14N80P Fotky
IXFQ14N80P Cena
IXFQ14N80P Nabídka
IXFQ14N80P Nejnižší cena
IXFQ14N80P Vyhledávání
IXFQ14N80P Nákup
IXFQ14N80P Chip