Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFQ24N50P2
500V POLAR2 HIPERFETS
Číslo dílu
IXFQ24N50P2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P
Ztráta energie (max.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
270 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48073 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFQ24N50P2
IXFQ24N50P2 Elektronické komponenty
IXFQ24N50P2 Odbyt
IXFQ24N50P2 Dodavatel
IXFQ24N50P2 Distributor
IXFQ24N50P2 Datová tabulka
IXFQ24N50P2 Fotky
IXFQ24N50P2 Cena
IXFQ24N50P2 Nabídka
IXFQ24N50P2 Nejnižší cena
IXFQ24N50P2 Vyhledávání
IXFQ24N50P2 Nákup
IXFQ24N50P2 Chip