Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFQ50N50P3
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
Číslo dílu
IXFQ50N50P3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, Polar3™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4335pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30553 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFQ50N50P3
IXFQ50N50P3 Elektronické komponenty
IXFQ50N50P3 Odbyt
IXFQ50N50P3 Dodavatel
IXFQ50N50P3 Distributor
IXFQ50N50P3 Datová tabulka
IXFQ50N50P3 Fotky
IXFQ50N50P3 Cena
IXFQ50N50P3 Nabídka
IXFQ50N50P3 Nejnižší cena
IXFQ50N50P3 Vyhledávání
IXFQ50N50P3 Nákup
IXFQ50N50P3 Chip