Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
Číslo dílu
IXFT60N50P3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, Polar3™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34419 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT60N50P3
IXFT60N50P3 Elektronické komponenty
IXFT60N50P3 Odbyt
IXFT60N50P3 Dodavatel
IXFT60N50P3 Distributor
IXFT60N50P3 Datová tabulka
IXFT60N50P3 Fotky
IXFT60N50P3 Cena
IXFT60N50P3 Nabídka
IXFT60N50P3 Nejnižší cena
IXFT60N50P3 Vyhledávání
IXFT60N50P3 Nákup
IXFT60N50P3 Chip