Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFV110N10P
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
Číslo dílu
IXFV110N10P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™ HiPerFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3, Short Tab
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS220
Ztráta energie (max.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12022 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFV110N10P
IXFV110N10P Elektronické komponenty
IXFV110N10P Odbyt
IXFV110N10P Dodavatel
IXFV110N10P Distributor
IXFV110N10P Datová tabulka
IXFV110N10P Fotky
IXFV110N10P Cena
IXFV110N10P Nabídka
IXFV110N10P Nejnižší cena
IXFV110N10P Vyhledávání
IXFV110N10P Nákup
IXFV110N10P Chip