Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFV12N90P
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
Číslo dílu
IXFV12N90P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3, Short Tab
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS220
Ztráta energie (max.)
380W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35090 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFV12N90P
IXFV12N90P Elektronické komponenty
IXFV12N90P Odbyt
IXFV12N90P Dodavatel
IXFV12N90P Distributor
IXFV12N90P Datová tabulka
IXFV12N90P Fotky
IXFV12N90P Cena
IXFV12N90P Nabídka
IXFV12N90P Nejnižší cena
IXFV12N90P Vyhledávání
IXFV12N90P Nákup
IXFV12N90P Chip