Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFV16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
Číslo dílu
IXFV16N80P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3, Short Tab
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS220
Ztráta energie (max.)
460W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18789 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFV16N80P
IXFV16N80P Elektronické komponenty
IXFV16N80P Odbyt
IXFV16N80P Dodavatel
IXFV16N80P Distributor
IXFV16N80P Datová tabulka
IXFV16N80P Fotky
IXFV16N80P Cena
IXFV16N80P Nabídka
IXFV16N80P Nejnižší cena
IXFV16N80P Vyhledávání
IXFV16N80P Nákup
IXFV16N80P Chip