Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX120N30T
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
Číslo dílu
IXFX120N30T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37174 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX120N30T
IXFX120N30T Elektronické komponenty
IXFX120N30T Odbyt
IXFX120N30T Dodavatel
IXFX120N30T Distributor
IXFX120N30T Datová tabulka
IXFX120N30T Fotky
IXFX120N30T Cena
IXFX120N30T Nabídka
IXFX120N30T Nejnižší cena
IXFX120N30T Vyhledávání
IXFX120N30T Nákup
IXFX120N30T Chip