Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
Číslo dílu
IXFX170N20T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
1150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
19600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17170 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX170N20T
IXFX170N20T Elektronické komponenty
IXFX170N20T Odbyt
IXFX170N20T Dodavatel
IXFX170N20T Distributor
IXFX170N20T Datová tabulka
IXFX170N20T Fotky
IXFX170N20T Cena
IXFX170N20T Nabídka
IXFX170N20T Nejnižší cena
IXFX170N20T Vyhledávání
IXFX170N20T Nákup
IXFX170N20T Chip