Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Číslo dílu
IXFX20N80Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
360W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28224 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX20N80Q
IXFX20N80Q Elektronické komponenty
IXFX20N80Q Odbyt
IXFX20N80Q Dodavatel
IXFX20N80Q Distributor
IXFX20N80Q Datová tabulka
IXFX20N80Q Fotky
IXFX20N80Q Cena
IXFX20N80Q Nabídka
IXFX20N80Q Nejnižší cena
IXFX20N80Q Vyhledávání
IXFX20N80Q Nákup
IXFX20N80Q Chip