Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
Číslo dílu
IXFX210N17T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
1150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
170V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
285nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
18800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15314 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX210N17T
IXFX210N17T Elektronické komponenty
IXFX210N17T Odbyt
IXFX210N17T Dodavatel
IXFX210N17T Distributor
IXFX210N17T Datová tabulka
IXFX210N17T Fotky
IXFX210N17T Cena
IXFX210N17T Nabídka
IXFX210N17T Nejnižší cena
IXFX210N17T Vyhledávání
IXFX210N17T Nákup
IXFX210N17T Chip