Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
Číslo dílu
IXFX21N100Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21512 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX21N100Q
IXFX21N100Q Elektronické komponenty
IXFX21N100Q Odbyt
IXFX21N100Q Dodavatel
IXFX21N100Q Distributor
IXFX21N100Q Datová tabulka
IXFX21N100Q Fotky
IXFX21N100Q Cena
IXFX21N100Q Nabídka
IXFX21N100Q Nejnižší cena
IXFX21N100Q Vyhledávání
IXFX21N100Q Nákup
IXFX21N100Q Chip