Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX24N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
Číslo dílu
IXFX24N100Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
1000W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
440 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20620 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX24N100Q3
IXFX24N100Q3 Elektronické komponenty
IXFX24N100Q3 Odbyt
IXFX24N100Q3 Dodavatel
IXFX24N100Q3 Distributor
IXFX24N100Q3 Datová tabulka
IXFX24N100Q3 Fotky
IXFX24N100Q3 Cena
IXFX24N100Q3 Nabídka
IXFX24N100Q3 Nejnižší cena
IXFX24N100Q3 Vyhledávání
IXFX24N100Q3 Nákup
IXFX24N100Q3 Chip