Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
Číslo dílu
IXFX32N80Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
1000W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6940pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24052 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX32N80Q3
IXFX32N80Q3 Elektronické komponenty
IXFX32N80Q3 Odbyt
IXFX32N80Q3 Dodavatel
IXFX32N80Q3 Distributor
IXFX32N80Q3 Datová tabulka
IXFX32N80Q3 Fotky
IXFX32N80Q3 Cena
IXFX32N80Q3 Nabídka
IXFX32N80Q3 Nejnižší cena
IXFX32N80Q3 Vyhledávání
IXFX32N80Q3 Nákup
IXFX32N80Q3 Chip