Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Číslo dílu
IXFX360N10T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
360A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
525nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
33000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47954 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX360N10T
IXFX360N10T Elektronické komponenty
IXFX360N10T Odbyt
IXFX360N10T Dodavatel
IXFX360N10T Distributor
IXFX360N10T Datová tabulka
IXFX360N10T Fotky
IXFX360N10T Cena
IXFX360N10T Nabídka
IXFX360N10T Nejnižší cena
IXFX360N10T Vyhledávání
IXFX360N10T Nákup
IXFX360N10T Chip