Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX420N10T
MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247
Číslo dílu
IXFX420N10T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
1670W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
420A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
670nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
47000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19555 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX420N10T
IXFX420N10T Elektronické komponenty
IXFX420N10T Odbyt
IXFX420N10T Dodavatel
IXFX420N10T Distributor
IXFX420N10T Datová tabulka
IXFX420N10T Fotky
IXFX420N10T Cena
IXFX420N10T Nabídka
IXFX420N10T Nejnižší cena
IXFX420N10T Vyhledávání
IXFX420N10T Nákup
IXFX420N10T Chip