Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
Číslo dílu
IXFX80N50Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29678 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX80N50Q3
IXFX80N50Q3 Elektronické komponenty
IXFX80N50Q3 Odbyt
IXFX80N50Q3 Dodavatel
IXFX80N50Q3 Distributor
IXFX80N50Q3 Datová tabulka
IXFX80N50Q3 Fotky
IXFX80N50Q3 Cena
IXFX80N50Q3 Nabídka
IXFX80N50Q3 Nejnižší cena
IXFX80N50Q3 Vyhledávání
IXFX80N50Q3 Nákup
IXFX80N50Q3 Chip