Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX88N20Q

IXFX88N20Q

MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247
Číslo dílu
IXFX88N20Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4150pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32859 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFX88N20Q
IXFX88N20Q Elektronické komponenty
IXFX88N20Q Odbyt
IXFX88N20Q Dodavatel
IXFX88N20Q Distributor
IXFX88N20Q Datová tabulka
IXFX88N20Q Fotky
IXFX88N20Q Cena
IXFX88N20Q Nabídka
IXFX88N20Q Nejnižší cena
IXFX88N20Q Vyhledávání
IXFX88N20Q Nákup
IXFX88N20Q Chip