Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFY30N25X3
MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Číslo dílu
IXFY30N25X3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
176W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19748 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFY30N25X3
IXFY30N25X3 Elektronické komponenty
IXFY30N25X3 Odbyt
IXFY30N25X3 Dodavatel
IXFY30N25X3 Distributor
IXFY30N25X3 Datová tabulka
IXFY30N25X3 Fotky
IXFY30N25X3 Cena
IXFY30N25X3 Nabídka
IXFY30N25X3 Nejnižší cena
IXFY30N25X3 Vyhledávání
IXFY30N25X3 Nákup
IXFY30N25X3 Chip